Решение на основе одного операционного усилителя для стабилизации выходного излучения лазера

В корпуса полупроводниковых лазерных диодов (Semiconductor Laser Diode, SLD) часто встраивается фотодиод. Выходной ток этого фотодиода можно...

Ростех создал бесспутниковую навигацию для БПЛА, защищенную от РЭБ и хакеров

Изделие представляет собой усовершенствованную модификацию малогабаритного доплеровского измерителя скорости и угла сноса ...

Двухканальные частотные и ШИМ-регуляторы «Max-Min-Max» при переходе с канала на канал

Рассмотрены частотные и широтно-импульсно модулированные регуляторы, позволяющие плавно регулировать частоту выходных импульсов или...

В МФТИ открылся научный центр мирового уровня по перспективной микроэлектронике

«Центр перспективной микроэлектроники» МФТИ займётся развитием инновационных технологий на основе новых функциональных...

Устройство зарядки Li-ion аккумуляторов от солнечной батареи с контролем точки максимальной мощности

Когда речь заходит об автономных зарядных устройствах для одноэлементных аккумуляторов, на ум приходит только одно популярное...

Fplus представила прототип российской портативной игровой консоли

В рамках конференции ЦИПР-2025 производитель электроники Fplus представил прототип портативной игровой консоли. Он представляет собой...

Пересмотрено: Для подключения ШИМ к импульсным регуляторам достаточно трех дискретных компонентов

Datasheet Texas Instruments TPS62933 Datasheet Microchip TN0104 ...

SiC MOSFET против традиционных IGBT: возможности и перспективы

Силовая электроника стремительно развивается, и сегодня перед разработчиками стоит важный выбор: SiC MOSFET или традиционные IGBT. Обе...

Увеличьте нагрузочную способность с помощью улучшенного токового насоса Хауленда

Схемы преобразования напряжения в ток могут иметь различные формы в зависимости от способа подключения нагрузки. В случаях...

Новые TMR датчики тока ExtremeSense от Allegro: революция в производстве, распределении и хранении экологически чистой энергии

Новые TMR датчики тока в компактных корпусах обеспечивают стабильные и без потерь измерения тока и превосходную помехоустойчивость ...

Пересмотрено: Для подключения ШИМ к импульсным регуляторам достаточно трех дискретных компонентов

Datasheet Texas Instruments TPS62933 Datasheet Microchip TN0104 ...

SiC MOSFET против традиционных IGBT: возможности и перспективы

Силовая электроника стремительно развивается, и сегодня перед разработчиками стоит важный выбор: SiC MOSFET или традиционные IGBT. Обе...