Трансформация тиристорной топологии в двухвыводной прецизионный источник тока на биполярном транзисторе

Недавно Кристофер Пол, регулярный автор раздела Конструкторские идеи, в статье «Прецизионный источник тока, нечувствительный к напряжениям» [1] продемонстрировал инновационный и высококачественный двухвыводной источник тока, основанный на использовании обедненного MOSFET в качестве проходного устройства.

Точность, линейность и долговечность: выбор азиатских датчиков температуры для различных решений

В последующих комментариях возник вопрос, можно ли добиться аналогичных результатов, используя биполярный транзистор вместо полевого транзистора Кристофера в аналогичной (на первый взгляд) топологии?

Это создало интересную конструкторскую проблему, для которой я предлагаю здесь возможное (хотя и неправдоподобное) решение. Как ни странно, оно (примерно) основано на классической модели тиристора на дискретных транзисторах, показанной на Рисунке 1.

Положительная обратная связь в тиристоре представляется маловероятной основой для источника тока на биполярном транзисторе.
Рисунок 1. Положительная обратная связь в тиристоре
представляется маловероятной основой для
источника тока на биполярном транзисторе.

На Рисунке 2 показана петля нелинейной положительной обратной связи тиристора, преобразующая его в линейный источник тока.

Токовое зеркало Q1 и Q3, регулятор Z1 и биполярный транзистор Q1 образуют прецизионный двухвыводной источник тока. Вытекающий ток равен 1.05·1.24/R1, или 1.30/R1. Символом «*» отмечены точные резисторы.
Рисунок 2. Токовое зеркало Q1 и Q3, регулятор Z1 и биполярный транзистор Q1 образуют
прецизионный двухвыводной источник тока. Вытекающий ток равен 1.05·1.24/R1,
или 1.30/R1. Символом «*» отмечены точные резисторы.

Параллельный регулятор Z1 и проходной транзистор Q2 образуют очень знакомую схему прецизионного источника тока. На самом деле, она очень похожа на ту, которую использует Кристофер Пол в своей схеме на основе MOSFET. Отрицательная обратная связь от токоизмерительного резистора R1 заставляет параллельный регулятор Z1 поддерживать ток эмиттера Q2 на постоянном уровне 1.24 В/R1.

Кроме того, подобно топологии Кристофера Пола, смещение для Z1 и Q2 создается токовым зеркалом на основе p-n-p транзистора. Однако, в отличие от симметричного зеркала в схеме Кристофера Пола, это зеркало выполнено асимметричным, чтобы обеспечить возможность работы при максимальном рекомендуемом токе регулятора Z1.

Значительное вырождение эмиттера (примерно 2.5 В) используется для поддержания точного соотношения токов и обеспечения управляемости усиления в контуре положительной обратной связи, чтобы регулятор Z1 мог контролировать его.

Пусковой резистор R3 необходим, поскольку смещение для транзисторов и регулятора обеспечивается регенеративной положительной обратной связью, аналогичной тиристорной. Резистор R3 обеспечивает небольшой ток в несколько сотен наноампер, достаточный для того, чтобы замкнуть (запустить?) петлю обратной связи при первом включении питания.

Чтобы запрограммировать источник на выбранный выходной ток IO:

Если IO > 5 мА, то
R1 = 1.30/IO,
R2 = 49.9/IO,
R4 = 2.40/IO.
Если IO < 5 мА, то
R1 = 1.55/IO,
R2 = 8/IO,
R4 = 2/IO.

Минимальная точность при IO = 500 мкА. Максимальная – при 200 мА.

И в качестве завершающего штриха заметим, что частый комментатор Ашутош обратил внимание на то, что хорошей практикой является защита нагрузок от ошибочных и потенциально разрушительных токов короткого замыкания. Гибкий и очень надежный страховой полис предлагает Рисунок 3. Подключите его последовательно с Рисунком 2, и проблемы с токами короткого замыкания исчезнут.

Точный, надежный, быстродействующий, самовосстанавливающийся ограничитель тока короткого замыкания с уровнем ограничения 1.25/R1.
Рисунок 3. Точный, надежный, быстродействующий, самовосстанавливающийся
ограничитель тока короткого замыкания с уровнем ограничения 1.25/R1.

В заключение я оставляю вам, читатель, право решить, является ли сходство Рисунка 2 с конструкцией Кристофера Пола лишь поверхностным, действительно значимым, откровенным плагиатом или просто мистическим.

  1. Datasheet Fairchild LM317
  2. Datasheet Diodes TLV431
  3. Datasheet ON Semiconductor TIP31

ООО «Мегател», ИНН 3666086782, ОГРН 1033600037020

Добавить свое объявление

* заполните обязательные данные

Статистика eFaster:

посетило сегодня 1664
сейчас смотрят 68
представлено поставщиков 1187
загружено
позиций
25 067 862

Продолжая использовать веб-сайт без изменения настроек браузера, вы выражаете согласие на использование cookie-файлов в соответствии с настоящей Политикой использования cookie-файлов.