Высокая надёжность SiC. Просто о сложном

Помимо стабильности основных технических характеристик карбид-кремниевых транзисторов линейки CoolSiC, компания Infineon довела до значений, соответствующих кремниевым аналогам, такие параметры, как устойчивость к временной деградации кристаллов и воздействию космического излучения. В процессе исследований были применены уникальные комплексные тесты, который могут в ближайшем будущем стать промышленным стандартом для испытаний SiC-приборов.

Но прежде чем принять решение об их использовании, разработчик должен получить ответы на многие вопросы, а самое главное – быть уверенным в надежной работе своих преобразователей на протяжении всего срока эксплуатации. Эта статья посвящена вопросам устойчивости к временной деградации кристаллов и воздействию космического излучения. Кроме того, будут рассмотрены методы тестирования, которые применяет компания Infineon.

Читать статью »