НИИЭТ запатентовал инновационную топологию транзисторной структуры

АО «НИИЭТ» продолжает расширять номенклатуру мощных СВЧ GaN-транзисторов. Предприятие получило патент на топологию 100-ваттной GaN-транзисторной структуры L-, S- диапазонов частот с напряжением питания 28 В со сложной структурой затворной шины. Об этом сообщил технический директор НИИ электронной техники Игорь Семейкин.

«С учетом специфики работы СВЧ-схем, в новой конструкции транзисторного кристалла применена инновационная схема расположения балластирующих резисторов для стабилизации параметров и увеличения надежности выпускаемых транзисторов и аппаратуры в целом», – сказал он.

Транзистор выпускается с приемкой ОТК под шифром «ПП9139Б1», а его стоимость составляет 22362.4 рублей без НДС. Заказать транзистор можно на официальном сайте АО «НИИЭТ» в разделе «Транзисторы серии «ПП».

Изделие имеет следующие технические характеристики:

• Выходная мощность – 100 Вт
• Рабочая частота – до 4 ГГц
• Тестовая частота – 1.5 ГГц
• Коэффициент усиления мощности – 13 дБ
• Коэффициент полезного действия коллектора – 45%
• Напряжение питания – 28 В
• Тип корпуса – КТ-55С-1

Модернизированные транзисторы находят применение в широкополосных радиостанциях, высокоскоростных системах передачи данных и других радиосистемах в L- и S- диапазонах частот.

niiet.ru