Infineon представила транзисторы StrongIRFET 2 – новое поколение силовых MOSFET с допустимыми напряжениями 80 В и 100 В. Благодаря широкой доступности у партнеров-дистрибьюторов и отличному соотношению цены и качества, у разработчиков не будет проблем с выбором и покупкой приборов. Оптимизированное как для низких, так и для высоких частот переключения, семейство поддерживает широкий спектр приложений, обеспечивая высокую гибкость конструкторских решений. В перечень приложений, которым принесет пользу использование новых устройств, входят импульсные источники питания, драйверы двигателей, аккумуляторные инструменты, системы управления аккумуляторами, источники бесперебойного питания и легкие электромобили.
Новая технология StrongIRFET обеспечивает 40-процентное снижение сопротивления открытого канала (RDS(ON)) и более чем 50-процентное снижение заряда затвора (QG) по сравнению с предыдущим поколением, что увеличивает КПД устройства и улучшает характеристики системы в целом. Повышенные значения допустимых токов стока (ID) устраняют необходимость параллельного включения нескольких устройств, что снижает затраты на компоненты и экономит площадь платы.
Продукт | Корпус | Напряжение стока [В] | RDS(ON) (макс.) при 25 °C [мОм] | QG (тип.) при 25 °C [нКл] | ID (макс.) при 25 °C [А] | Полярность | Диапазон рабочих температур [°C] |
IPP040N08NF2S | TO-220 | 80 | 4 | 115 | N | –55…175 | |
IPP050N10NF2S | TO-220 | 100 | 5 | 51 | 110 | N | –55…175 |
IPP082N10NF2S | TO-220 | 100 | 8.2 | 28 | 77 | N | –55…175 |
IPP129N10NF2S | TO-220 | 100 | 12.9 | 19 | 52 | N | –55…175 |
IPP024N08NF2S | TO-220 | 80 | 2.4 | 89 | 182 | N | –55…175 |
IPP016N08NF2S | TO-220 | 80 | 1.6 | 170 | 196 | N | –55…175 |
IPP055N08NF2S | TO-220 | 80 | 5.5 | 36 | 99 | N | –55…175 |
IPP019N08NF2S | TO-220 | 80 | 1.9 | 124 | 191 | N | –55…175 |
IPP026N10NF2S | TO-220 | 100 | 2.6 | 103 | 184 | N | –55…175 |