Токовое зеркало уменьшает эффект Эрли

Это просто факт жизни. Биполярный транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, даже после компенсации влияния производственного разброса и температурных колебаний, все равно не является идеальным источником тока.

Эффективные решения на базе SiC: новые возможности для российской электроники

Одной из ложек дегтя в этой бочке меда является обусловленное эффектом Эрли влияние напряжения коллектора на ток коллектора. Иногда, если в техническом описании указана выходная проводимость hOE, эффект Эрли можно приблизительно оценить по отношению hOE к испытательному току.

Токовое зеркало без использования вырождения эмиттера.
Рисунок 1. Токовое зеркало без использования
вырождения эмиттера.

Типичное значение составляет 1% на вольт. На Рисунке 1 показано его влияние на работу простого токового зеркала, где: 

Здесь

VCB – напряжение коллектор-база,
VA – напряжение Эрли,
IERR – ток ошибки).

Если два транзистора согласованы, ток I2 должен быть равен току I1. Но вместо этого ток коллектора Q2 может увеличиваться на 1% на каждый вольт напряжения VCB. Двузначное значение VCB может привести к двузначному проценту погрешности. «Зеркало» получилось бы довольно затуманенным!

К счастью, квалифицированным специалистам в этой области хорошо известен простой способ смягчения эффекта Эрли. (См. Сноску). Вырождение эмиттера основано на эффекте, который в 4000 раз сильнее, чем влияние VCB на ток коллектора IC.

Токовое зеркало с использованием вырождения эмиттера.
Рисунок 2. Токовое зеркало с использованием
вырождения эмиттера.

Это влияние напряжения база-эмиттер VBE на ток коллектора, которое может легко снизить эффект Эрли на два порядка. На Рисунке 2 показано, как это работает:

На одинаковых резисторах R, подключенных последовательно к обоим эмиттерам, будут падать напряжения VR = I1×R и I2×R, которые будут равны, если равны токи. Но если токи различаются (например, из-за эффекта Эрли), то возникнет разность напряжений VBE… Кто бы мог сомневаться…

Это полезно, поскольку разность напряжений VBE будет противодействовать начальной разности токов, и ее влияние будет значительным, даже если напряжение VR мало. На Рисунке 3 показано, насколько значительно это снижает величину IERR.

Нормализованный эффект Эрли (ось Y) в зависимости от напряжения вырождения эмиттера VE = IA×R (ось X). Обратите внимание, что всего лишь 50 мВ снижают эффект Эрли в 3 раза. Это действительно «ощутимо»!
Рисунок 3. Нормализованный эффект Эрли (ось Y) в зависимости от напряжения
вырождения эмиттера VE = IA×R (ось X). Обратите внимание, что всего
лишь 50 мВ снижают эффект Эрли в 3 раза. Это действительно «ощутимо»!
  1. Stephen Woodward. Двустороннее зеркало – то есть, токовое зеркало

ООО «Мегател», ИНН 3666086782, ОГРН 1033600037020

Добавить свое объявление

* заполните обязательные данные

Статистика eFaster:

посетило сегодня 2000
сейчас смотрят 56
представлено поставщиков 1169
загружено
позиций
25 067 862

Продолжая использовать веб-сайт без изменения настроек браузера, вы выражаете согласие на использование cookie-файлов в соответствии с настоящей Политикой использования cookie-файлов.