Компания SK hynix объявила о разработке решения UFS 4.1, основанного на самой мощной в мире 321-слойной трехуровневой флэш-памяти 4D NAND емкостью 1 ТБ для мобильных приложений. (UFS – Universal Flash Storage, универсальный флеш-накопитель, ред.).

Разработка ведется на фоне требований к повышению производительности и снижению энергопотребления NAND-решений для обеспечения стабильной работы искусственного интеллекта на устройстве. Компания рассчитывает, что продукт UFS 4.1, оптимизированный для работы с искусственным интеллектом, поможет ей укрепить лидерство на рынке памяти для флагманских смартфонов.

В связи с ростом спроса на искусственный интеллект в устройствах все большее значение приобретает баланс между вычислительными возможностями и эффективностью работы устройства, питающегося от аккумулятора, и теперь мобильный рынок требует от мобильных устройств минимальной толщины и низкого энергопотребления.

Новейший продукт отличается улучшенной на 7% энергоэффективностью по сравнению с предыдущим поколением на основе 238-слойной памяти NAND и меньшей толщиной – 0.85 мм против 1 мм ранее, что позволяет размещать его в сверхтонких смартфонах.

Продукт поддерживает скорость передачи данных 4300 МБ/с – самую высокую для UFS четвертого поколения скорость последовательного чтения, а также обеспечивает лучшую в своем классе производительность за счет повышения скорости произвольного чтения и записи, критически важных для многозадачной работы, на 15% и 40% соответственно. Ожидается, что мгновенное предоставление необходимых данных для искусственного интеллекта на устройстве, а также более высокая скорость работы и реакции приложений повысят удобство взаимодействия с пользователем.

SK hynix планирует получить подтверждение соответствия требованиям клиентов в течение года и начать массовые поставки с первого квартала следующего года. Продукт будет поставляться в двух вариантах емкости – 512 ГБ и 1 ТБ.