Силовая электроника стремительно развивается, и сегодня перед разработчиками стоит важный выбор: SiC MOSFET или традиционные IGBT. Обе технологии имеют свои преимущества и сферы применения.
SiC MOSFET обеспечивают высокую частоту переключения, минимальные потери, компактность и отличную термостабильность. Они идеальны для современных решений, таких как электромобили, солнечные инверторы и высокочастотные устройства. IGBT остаются надежным и экономичным выбором для приводов двигателей, систем бесперебойного питания и мощных сварочных аппаратов, где ключевыми факторами являются простота управления и устойчивость к перегрузкам по току и напряжению.
Сравним основные характеристики IGBT и SiC MOSFET на примере номенклатуры азиатских производителей.