Обобщенные формулы проектирования ШИМ-интерфейса понижающего регулятора

Некоторое время назад я опубликовал статью «Простой ШИМ-интерфейс позволяет программировать напряжение регулятора VOUT < VSENSE» [1]. В ней были представлены несколько простых схем для ШИМ-программирования стандартных микросхем понижающих регуляторов, как линейных, так и импульсных, в том числе для приложений, выходные напряжения которых должны быть значительно ниже напряжения на входе обратной связи регулятора.

LED-драйверы – ключевые элементы современных световых и промышленных систем

Недавние комментарии читателей показали интерес к применению этих разработок в различных приложениях и регуляторах. Итак, вот пошаговая процедура, которая упростит этот процесс.

Обратите внимание, что это работает только в том случае, если VX > 2VS и VL > VS.

Десять дискретных компонентов образуют схему для программирования регулятора с помощью ШИМ.
Рисунок 1. Десять дискретных компонентов образуют схему для программирования регулятора с помощью ШИМ.

Шаги таковы (Рисунок 1):

  1. VS – напряжение на выводе обратной связи регулятора U1 из технического описания микросхемы (обычно от 0.5 до 1.25 В);
  2. VL – напряжение шины питания логики (обычно от 3 до 5 В);
  3. VX – желаемое максимальное выходное напряжение при коэффициенте заполнения ШИМ, равном 100%;
  4. VPP – размах импульсов ШИМ (типичное значение – VL);
  5. FP – частота повторения ШИМ;
  6. N – разрешение ШИМ в битах, N > 4;
  7. R1 – значение, рекомендованное в примере применения из технического описания микросхемы U1;
8. ;
9. ;
10. ;

где VBEQ2 и βQ2MIN – напряжение база эмиттер и минимальный коэффициент передачи тока транзистора Q2, соответственно.

11. ;
12. ;
13. ;

Теперь, если в качестве примера для U1 взять недорогой асинхронный понижающий преобразователь XL4016 компании XLSEMI и пройти по всем шагам, то получим:

  1. VS = 1.25 В;
  2. VL = 3.3 В;
  3. VX = 30 В;
  4. VPP = 3.3 В;
  5. FP = 10 кГц;
  6. N = 8;
  7. R1 = 3.3 кОм (рекомендуемое значение из Рисунка 4 технического описания U1);
  8. R2 = 75 кОм;
  9. R4 = 120 кОм;
  10. R5 = 15 МОм;
  11. R3 = 8.2 кОм
  12. C3 = 0.1 мкФ, C2 = 0.011 мкФ;
  13. C1 = 0.27 мкФ.

В результате получается Рисунок 2.

Общие параметры конструкции, перечисленные выше. Обратите внимание, что компоненты, специфичные для U1 (например, дроссель, конденсаторы и силовой диод), не показаны.
Рисунок 2. Общие параметры конструкции, перечисленные выше. Обратите внимание, что компоненты,
специфичные для U1 (например, дроссель, конденсаторы и силовой диод), не показаны.

Обратите внимание, что если микроамперы и милливольты остаточного смещения нуля, которые сохраняются на выходе ненагруженного источника питания при нулевом коэффициенте заполнения ШИМ, не вызывают возражений, то источник тока Q2/R5 не нужен и может быть исключен.

  1. Datasheet XLSEMI XL4016
  2. Datasheet Microchip TN0104

ООО «Мегател», ИНН 3666086782, ОГРН 1033600037020

Добавить свое объявление

* заполните обязательные данные

Статистика eFaster:

посетило сегодня 254
сейчас смотрят 64
представлено поставщиков 1164
загружено
позиций
25 067 862

Продолжая использовать веб-сайт без изменения настроек браузера, вы выражаете согласие на использование cookie-файлов в соответствии с настоящей Политикой использования cookie-файлов.