Высоковольтные MOSFET (500–1500 В) — ключевые элементы импульсных источников питания, PFC-преобразователей, сварочных инверторов и промышленной автоматики. На рынке доминируют две архитектуры: планарные (VD) и с суперпереходом (SJ).

Планарные MOSFET (VD)

• Преимущества: Высокая стойкость к лавинному пробою, устойчивость к импульсным перенапряжениям, надежность в жестких условиях.
• Ограничения: Больший размер кристалла, высокое сопротивление канала (Rds(on)) и паразитные емкости.

 MOSFET с суперпереходом (SJ)

• Преимущества: Вертикальная структура обеспечивает более однородное распределение поля, позволяя снизить Rds(on) и габариты кристалла без потери пробивного напряжения.
• Результат: Меньшие потери проводимости и возможность работы на более высоких частотах по сравнению с VD-аналогами.

Выбор технологии зависит от требований к частоте переключения, тепловому режиму и стоимости системы. Разбираем особенности, ограничения и оптимальные сферы применения